常见存储类型

各类简要说明：

✅ NOR Flash

擅长用于：代码存储、引导程序（Boot ROM）、固件（Firmware）

优点：可以直接执行代码（XIP），随机读快，掉电数据保留

缺点：写入和擦除较慢，容量小，成本比 NAND 高

✅ NAND Flash

擅长用于：大容量数据存储，如 U盘、SSD、存储卡

优点：成本低，容量大，写入快

缺点：不能 XIP，容易出现坏块，管理复杂（需 ECC、wear leveling）

✅ EEPROM

擅长用于：配置参数、序列号、小数据存储

优点：支持按字节读写，擦写次数高

缺点：容量小，写入慢，成本高

项目 NOR Flash NAND Flash EEPROM
存储架构 NOR NAND NOR
接口类型 SPI / Parallel SPI / Parallel I²C / SPI
容量范围 小到中（几MB～数百MB） 中到大（几十MB～几TB） 小（几字节～几MB）
擅长应用 启动代码、固件 大容量数据存储 配置参数、设置值
擦写单位 扇区（一般4KB） 页/块（128KB/256KB） 字节
写入速度 较慢 较快 很慢
读取速度 快（直接映射执行） 较快（不可直接执行） 慢
可直接执行代码（XIP） ✅ 支持 ❌ 不支持 ❌ 不支持
寿命（擦写次数） 中等（10万次左右） 较低（1～10万次） 很高（100万次以上）
成本（每 bit） 中 低 高
是否掉电保存数据 ✅ 是 ✅ 是 ✅ 是

Flash 存储常见架构

  1. NOR Flash
    • 特点：随机访问，支持字节寻址，可直接执行代码（XIP）。
    • 优点：适合存储固件、Bootloader。
    • 缺点：写入和擦除速度慢，存储密度低，成本高。
    • 典型应用：手机 BIOS、嵌入式启动存储。
  2. NAND Flash
    • 特点：块寻址，容量大，成本低，读写速度快。
    • 优点：适合大容量数据存储。
    • 缺点：不能直接执行程序，需要先加载到 DRAM。存在坏块管理、ECC 需求。
    • 典型应用：SSD、U 盘、SD 卡、大多数移动存储。